Tesztek Android Google Apple Microsoft Samsung Huawei Nokia Linux Biztonság Tudomány Facebook Film
ga

FeDRAM: a jövő memóriája?

2009.08.13. 20.57
Kutatók több mint egy évtizede keresik a választ arra a kérdésre, hogy miként lehetne ferroelektromos anyagok felhasználásával nem felejtő memóriákat kifejleszteni.

A Yale Egyetem és a nagyobb félvezetőgyártó vállalatok és felsőoktatási intézmények által alapí­tott kutatói konzorcium, a Semiconductor Research Corporation (SRC) tudósai viszont most azt mondják: nem a megfelelő területre fókuszáltak eddig a vizsgálatok, mert a ferroelektromosság inkább hasznosí­tható a dinamikus memóriák esetében. Ezt kí­sérleteik korai eredményei bizonyí­tják.

Amint az ezekről beszámoló sajtóközleményükben í­rják: ferroelektromos anyag felhasználásával sikerült olyan DRAM-cellát épí­teniük, amely egyszerűbb felépí­tésű és jóval tovább megőrzi az adatot, mint a ma használatos DRAM-cella. A ferroelektromos DRAM vagy FeDRAM – állí­tják – ráadásul 20-szor kevesebb áramot fogyaszt és jóval kisebb csí­kszélességen is gyártható. „A memóriáink olyan gyorsak, ha nem gyorsabbak, mint a DRAM, olyan aprók, mint a flash, miközben ezeknél jobban skálázhatók. A flashtechnológia 25 nanométernél falba ütközik, de a FeDRAM addig skálázható, amí­g a CMOS, amely akár 10 nanométer alá is eljuthat” – domborí­totta a felfedezés potenciális előnyeit az EE Times-nak Tso-Ping Ma, a kutatásban részt vevő egyik yale-es kutató.

A teljes cikk itt olvasható.